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標準半導體工藝
·LPCVD氮化硅（標準型)
·LPCVD氮化硅（低應力型）
·LPCVD斜坡溫度多晶硅
·LPCVD一致晶粒多晶硅
·LPCVD氧化層TEOS（正硅酸乙脂）
·LPCVD VLTO（低溫氧化）
·LPCVD BPSG（硼磷硅玻璃）
· 高溫氧化
· 干法氧化
· 濕法氧化
· 摻雜擴散 （3-4路液相摻雜管路 ( POCL3 or BBR3)）
· 5-6路TCA或Hcl氣路
· 混合氣體退火
· 高溫熱回火
· 低溫退火和合金化
· 高溫驅入（Drive in）

標準LED工藝
·高真空退火（環(huán)境可控）
·低溫合金化/退火

標準PV（太陽能）工藝
·濕氧/干氧
·PN結驅入
·Forming氣體退火
·氫氣退火
·低溫熱處理
·POCl3，BBr3 PN結和槽
·反射氮化膜（ARC Nitride coating）

標準MEMS（微機電）工藝
·低應力CVD氮化物
·氧氮化物SIPOS
·厚氧
·TEOS，良好的臺階覆蓋能力
·多晶硅和摻雜多晶硅

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